Микроэлектроника

Main
Technique - Electronics: Radio
Микроэлектроника

Микроэлектроника

Митрофанов О.В. и др.

0 / 0

Quanto ti piace questo libro?

Qual è la qualità del file?

Scarica il libro per la valutazione della qualità

Qual è la qualità dei file scaricati?

Categorie:

Technique - Electronics: Radio

Volume:

Книга 1

Anno:

1987

Casa editrice:

Высшая школа

Lingua:

russian

Pagine:

169

File:

DJVU, 2.40 MB

IPFS:

,

russian, 1987

Leggi Online

La conversione in è in corso

La conversione in non è riuscita

Puoi essere interessati a

Оболенская Е. С., Чурин А. Ю., Тарасова Е. А., Волкова Е. В., Оболенский С. В. — Измерение электрофизических характеристик p-n перехода: Практикум

Тарасова Е. А., Пузанов А. С., Волкова Е. В., Оболенский С. В., Оболенская Е. С. — Введение в физику транзисторов: Учебное пособие

В. А. Гуртов — Твердотельная электроника: Учеб. пособие

Почтенный, Артем Евгеньевич — Физика. Ч. 6 : Квантовые электронные свойства твердых тел

Почтенный, Артем Евгеньевич — Физическая электроника и электронные приборы. Ч. 1

Челноков В. — Физические основы работы силовых полупроводниковых приборов

Агаханян Т. — Основы транзисторной электроники

Левинштейн М.Е., Симин Г.С. — Барьеры. От кристалла до интегральной схемы

Вострецова Л. Н., Иго А. В., Соловьев А. А. — Физические основы продукции высокотехнологичного производства

Коллектив авторов — Физика. Электричество. Лабораторная работа № 15. Исследование полупроводникового выпрямителя: Методические указания к лабораторной работе для студентов всех направлений подготовки и форм обучения

Качарова М.С., Казакова Л.П. — Изучение вентильного фотоэлемента: методические указания к лабораторной работе

Дьяченко А.Т., Флоринский В.Ю. — Определение электродвижущей силы фотоэлемента с запирающим слоем : Методические указания к лабораторной работе № 312

Качарова М.С., Казакова Л.П. — Изучение вентильного фотоэлемента: методические указания к лабораторной работе

Л. П. Казакова, Г. И. Полищук — Физика. Электричество. Лабораторная работа № 15. Исследование полупроводникового выпрямителя: Методические указания к лабораторной работе для студентов всех направлений подготовки и форм обучения

Вострецова Л. Н., Иго А. В., Соловьев А. А. — Физические основы продукции высокотехнологичного производства

Митрофанов О.В. и др. — Физические основы функционирования изделий микроэлектроники

Стриха.В. — Контактные явления в полупроводниках

Левинштейн М. Б., Симин Г. С. — Барьеры (От кристалла до интегральной схемы)

Ригер Е.Р. — Физика полупроводников: Сборник лабораторных работ

Поляков А.М. — Разгаданный полупроводник

Легостаев Н.С., Троян П.Е, Четвергов К.В. — Твердотельная электроника

Гоков А.М., Жидко Е.А., Вдовёнков В.Ю. — Основы электротехники и электроники. В 5-ти частях

Шевченко О.Ю. — Основы физики твердого тела

Троян П.Е. — Твердотельная электроника

Мамыкин А.И., Рассадина А.А. — Контактные явления в полупроводниках. Учебно-методическое пособие по курсу «Физические основы электроники». Часть 2

— Физические основы электроники. Конспект лекций ПГАТИ

Лысенко А.П. — Физические процессы в p-n-переходе

Арипов Х.К., Абдуллаев А.М., Кузьмина Г.Н., Объедков Е.В., Королева И.А. — Электронные твердотельные приборы и микроэлектроника

Абдуллаев А.М. и др. — Микроволновые Полупроводниковые Приборы. Конспект Лекций

Митяшев Б.Н. — Электронные приборы

— Основы теории p-n перехода

Ткачева Т.М. — Основы полупроводниковой техники и ее применение в автотранспортном комплексе

Шкаев А.Г. — Твердотельная электроника: конспект лекций

Михайлов А.В., Родионов М.Г., Новиков С.М. — Физические основы электроники: Пассивные компоненты электронных устройств

Датиев К.М. — Введение в физику конденсированного состояния. Сборник задач и упражнений

Termini più frequenti

носителей

электронов

напряжения

перехода

полупроводника

концентрации

проводимости

электрона

напряжение

результате

концентрация

электроны

переходе

полупроводник

полупроводнике

зависимость

сопротивление

транзистора

называется

носители

определяется

электрического

инжекции

насыщения

поверхности

выражение

неосновных

смещении

полупроводниках

температуры

направлении

элементов

полупроводниковых